模型資料庫產生軟體

無限數量之 SPICE 模型產生軟體：快速、簡單、準確。

SpiceMod 減輕新建 SPICE 模型的負擔，使用者不需為了沒有模型而簡化或忽略某些模擬工作，也不需耗費時間去研究複雜的 SPICE 參數，當然也不必應用實驗儀器抽取 SPICE 參數。你所需要的僅是一張元件規格表與一點點時間。

SpiceMod 產生可在柏克萊 SPICE 相容軟體模擬的元件模型。所產生之檔案為 ASCII 文字格式，可輕易再編輯與轉換。沒有任何隱瞞，你可讀取與編輯所有模型與副電路。由於這新型的模型產生軟體，你能開發模擬所需之模型資料庫。

SpiceMod 搭配 IsSpice 電路模擬軟體，所產生的模型或副電路直接儲存成 .LIB 檔案，允許即刻使用 SpiceNet 繪圖軟體置放元件與執行模擬。另附有測試電路範例，用於評估使用自行建立元件模型之準確度，所產生的曲線波形可與資料手冊直接比較驗證之。

SpiceMod 輕而易舉建立模型

SpiceMod 依製造商元件資料手冊之參數，輕鬆產生準確的 SPICE 模型資料庫。

SpiceMod 的功能

SpiceMod 知道如何轉換元件資料手冊之參數成為 SPICE 模型參數，輸入元件資料手冊之參數，SpiceMod 立即分析與適當的轉換並顯示 SPICE 的模型或副電路參數。輸入的參數越完整，所產生的模型準確度越高。

副電路

某些常用的半導體如 Power Mosfet 與 Power BJT 無法以單純的元件模型描述其特性，因此需應用副電路方式才能達此目標。雖然有些 SPICE 模型供應商嘗試以單一模型描述這一類元件之特性，卻無法評估某些動態參數與寄生元件之特性，這就是SpiceMod 以副電路處理產生功率元件的因素。

如何使用 SpiceMod

首先先選擇欲產生模型之種類

然後輸入你能確定的參數，越多越好。

一經輸入，即可發現視窗下方之模型參數隨之改變。

如果沒有輸入某些參數，SpiceMod 會自動評估產生適當數值。這是很重要的特性，甚至僅輸入最小的元件參數資料，SpiceMod 亦有能力評估建立實用的 SPICE 模型。

如上圖下方，顯示使用者自行建立產生的元件模型資料，再依指定之路徑與檔名自

動儲存加入原有 IsSpice 的元件模型資料庫中進行模擬工作。

SpiceMod 所接受的元件資料手冊之參數
SpiceMod 可接受由製造商所提供之元件資料手冊，下列表中粗體字為必要輸入的規格參數。

Diodes	Type, Rated Current, High I/V, Medium I/V, Low I/V, Reverse Breakdown V, I at Breakdown, Junction Capacitance/V, Reverse Recovery Time	MOSFETs	Type, Enh. or Dep., Max. Drain Source V, Max. Drain I, Gate Threshold V, On Resistance, Forward Transfer Admittance, Input Capacitance/V, Reverse Transfer Capacitance/V, Drain-Substrate Capacitance
Zeners	Power Dissipation, Zener V, Zener Test I, Zener Impedance, Rated I/V, Low Current I/V, Junction Capacitance, Reverse Recovery Time	Power MOSFETs	Type, Enh. or Dep., Max. Drain Source V, Max. Drain I, Gate Threshold V , On Resistance, Forward Transconductance, Input, Output, and Reverse Transfer Capacitance/V, Source-Drain Diode On V, Source-Drain Diode Reverse Recovery Time
BJTs	Type, Max. CE V, Max. EB V, Max. Collector I, Peak Current Gain, 50% hFE point High, 50% hFE point Low, VCE Saturation I/V, VBE On I/V, Max. Gain Bandwidth Product, Storage Time, Output Capacitance/V, Input Capacitance/V	SCR/GTO	Peak Repetitive Forward/Reverse Blocking V, GK Reverse V, RMS Forward I, Peak Gate I/V, Peak Forward/Reverse Blocking I, Gate Trigger I/V, Forward On V, Holding I, Turn-on/off Time, dv/dt
Power BJTs	Type, Max. CE V, Max. EB V, Max. Collector I, Peak Current Gain, 50% hFE point High, 50% hFE point Low,VCE Saturation I/V, VBE On I/V, Max. Gain Bandwidth Product, Storage Time, Output Capacitance/V, Input Capacitance/V	Triac	Rated On-State Current, Repetitive Peak Off-State Voltage, Peak Forward/Reverse Blocking Current, Peak On-State Voltage, Test Current for VTM, Gate Trigger Currents and Voltages, Holding Current, t(on), t(off), Critical Rate of Rise of Off-State Voltage (used for CJC and CJE).
Darlington BJTs	Type, Substrate Diode, Input Diode, Max. CE V, Max. EB V, Max. Collector I , Peak Current Gain, 50% hFE point High, VCE Saturation I/V, Min. Rise Time, Storage Time, Output Capacitance/V, Input Capacitance/V, Input BE Resistor, Output BE Resistor	IGBT	Channel Type, CE Breakdown V, EC Breakdown V, Max. Collector I, CE Saturation I/V/Bias, Gate Threshold V, Forward Transconductance, Input/Output/Reverse Transfer Capacitance, Rise Time, Turn-orr Delay
JFETs	Type, Enh. or Dep., GS Breakdown V, Max. Drain I, GS Cut-off V, Zero-Gate Voltage Drain I, On Resistance, Forward Transfer Admittance, Input Capacitance/C, Reverse Transfer Capacitance/V



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